IPB100N04S2-04 دیتاشیت

IPB100N04S2-04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB100N04S2-04
حجم فایل 61.983 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IPB100N04S2-04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB100N04S2-04
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 172nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5300pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@80A,10V
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه